Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET pdf

recibió su Maestría en Física de la Universidad Musulmana de Aligarh, Aligarh, India, en 1975; su doctorado de la Universidad de Calcuta, Kolkata, India, en 1979; y su DPhil de la Universidad de Oxford, Oxford, Reino Unido, en 1983. También fue investigador postdoctoral de la Comisión Real para la Exposición de 1851 en el Laboratorio Clarendon, Universidad de Oxford, de 1983 a 1985. Fue miembro de Wolfson College, Oxford. Fue tutor e instructor de laboratorio en el Laboratorio Clarendon. También fue profesor visitante en la Universidad de Linkoping, Linkoping, Suecia; Instituto Max Planck de Stuttgart, Alemania. Se unió a la Universidad de Jadavpur, Kolkata, en 1987 como líder en ingeniería electrónica y de telecomunicaciones. Posteriormente, se convirtió en profesor y director del Departamento de Física, y decano de la Facultad de Ciencias de la Universidad de Ciencias de la Ingeniería de Bengala (BESU) durante 1996-1999. Más tarde se unió una vez más al Departamento de ETCE de la Universidad de Jadavpur como profesor. Se ha desempeñado como profesor invitado en muchas universidades, como el Instituto de Tecnología de Tokio, Japón y la Universidad de Hong Kong, Hong Kong. Desde 1999 es profesor del Departamento de Electrónica

Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET pdf por Chandan Kumar Sarkar

Responding to recent developments and a growing VLSI circuit manufacturing market, Technology Computer Aided Design: Simulation for VLSI MOSFET examines advanced MOSFET processes and devices through TCAD numerical simulations. The book provides a balanced summary of TCAD and MOSFET basic concepts, equations, physics, and new technologies related to TCAD and MOSFET. A firm grasp of these concepts allows for the design of better models, thus streamlining the design process, saving time and money. This book places emphasis on the importance of modeling and simulations of VLSI MOS transistors and TCAD software. Providing background concepts involved in the TCAD simulation of MOSFET devices, it presents concepts in a simplified manner, frequently using comparisons to everyday-life experiences. The book then explains concepts in depth, with required mathematics and program code. This book also details the classical semiconductor physics for understanding the principle of operations for VLSI MOS transistors, illustrates recent developments in the area of MOSFET and other electronic devices, and analyzes the evolution of the role of modeling and simulation of MOSFET. It also provides exposure to the two most commercially popular TCAD simulation tools Silvaco and Sentaurus.

Emphasizes the need for TCAD simulation to be included within VLSI design flow for nano-scale integrated circuits
Introduces the advantages of TCAD simulations for device and process technology characterization
Presents the fundamental physics and mathematics incorporated in the TCAD tools
Includes popular commercial TCAD simulation tools (Silvaco and Sentaurus)
Provides characterization of performances of VLSI MOSFETs through TCAD tools
Offers familiarization to compact modeling for VLSI circuit simulation
R&D cost and time for electronic product development is drastically reduced by taking advantage of TCAD tools, making it indispensable for modern VLSI device technologies. They provide a means to characterize the MOS transistors and improve the VLSI circuit simulation procedure. The comprehensive information and systematic approach to design, characterization, fabrication, and computation of VLSI MOS transistor through TCAD tools presented in this book provides a thorough foundation for the development of models that simplify the design verification process and make it cost effective.