Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET pdf

a obtenu sa maîtrise en physique de l'Université musulmane d'Aligarh, Aligarh, Inde, en 1975 ; son doctorat de l'Université de Calcutta, Kolkata, Inde, en 1979 ; et son doctorat en philosophie de l'Université d'Oxford, Oxford, Royaume-Uni, en 1983. Il a également été chercheur postdoctoral de la Commission royale pour l'exposition de 1851 au Clarendon Laboratory, Université d'Oxford, de 1983 à 1985. Il était membre de Collège Wolfson, Oxford. Il a été tuteur et instructeur de laboratoire au Clarendon Laboratory. Il a également été chercheur invité à l'Université de Linkoping, Linkoping, Suède ; Institut Max Planck à Stuttgart, Allemagne. Il a rejoint l'Université Jadavpur, Kolkata, en 1987 en tant qu'expert en génie électronique et des télécommunications. Par la suite, il est devenu professeur et chef du département de physique et doyen de la faculté des sciences de l'Université des sciences de l'ingénierie du Bengale (BESU) de 1996 à 1999. Plus tard, il a de nouveau rejoint le département ETCE de l'Université de Jadavpur en tant que professeur. Il a été professeur invité dans de nombreuses universités telles que l'Institut de technologie de Tokyo, au Japon, et l'Université de Hong Kong, à Hong Kong. Depuis 1999, il est professeur au Département d'électronique

Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET pdf par Chandan Kumar Sarkar

Responding to recent developments and a growing VLSI circuit manufacturing market, Technology Computer Aided Design: Simulation for VLSI MOSFET examines advanced MOSFET processes and devices through TCAD numerical simulations. The book provides a balanced summary of TCAD and MOSFET basic concepts, equations, physics, and new technologies related to TCAD and MOSFET. A firm grasp of these concepts allows for the design of better models, thus streamlining the design process, saving time and money. This book places emphasis on the importance of modeling and simulations of VLSI MOS transistors and TCAD software. Providing background concepts involved in the TCAD simulation of MOSFET devices, it presents concepts in a simplified manner, frequently using comparisons to everyday-life experiences. The book then explains concepts in depth, with required mathematics and program code. This book also details the classical semiconductor physics for understanding the principle of operations for VLSI MOS transistors, illustrates recent developments in the area of MOSFET and other electronic devices, and analyzes the evolution of the role of modeling and simulation of MOSFET. It also provides exposure to the two most commercially popular TCAD simulation tools Silvaco and Sentaurus.

Emphasizes the need for TCAD simulation to be included within VLSI design flow for nano-scale integrated circuits
Introduces the advantages of TCAD simulations for device and process technology characterization
Presents the fundamental physics and mathematics incorporated in the TCAD tools
Includes popular commercial TCAD simulation tools (Silvaco and Sentaurus)
Provides characterization of performances of VLSI MOSFETs through TCAD tools
Offers familiarization to compact modeling for VLSI circuit simulation
R&D cost and time for electronic product development is drastically reduced by taking advantage of TCAD tools, making it indispensable for modern VLSI device technologies. They provide a means to characterize the MOS transistors and improve the VLSI circuit simulation procedure. The comprehensive information and systematic approach to design, characterization, fabrication, and computation of VLSI MOS transistor through TCAD tools presented in this book provides a thorough foundation for the development of models that simplify the design verification process and make it cost effective.