Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET पीडीएफ

1975 में अलीगढ़ मुस्लिम विश्वविद्यालय, अलीगढ़, भारत से भौतिकी में एमएससी प्राप्त किया; 1979 में कलकत्ता विश्वविद्यालय, कोलकाता, भारत से उनकी पीएचडी; और 1983 में ऑक्सफ़ोर्ड विश्वविद्यालय, ऑक्सफ़ोर्ड, यूके से उनका डी.फिल। 1983 से 1985 तक वे ऑक्सफोर्ड विश्वविद्यालय के क्लेरेंडन प्रयोगशाला में 1851 की प्रदर्शनी के लिए रॉयल कमीशन के पोस्टडॉक्टरल रिसर्च फेलो भी थे। वह एक साथी थे वोल्फसन कॉलेज, ऑक्सफोर्ड। वह क्लेरेंडन प्रयोगशाला में शिक्षक और प्रयोगशाला प्रशिक्षक थे। वह लिंकोपिंग यूनिवर्सिटी, लिंकोपिंग, स्वीडन के साथ विजिटिंग फेल-लो भी थे; मैक्स प्लैंक इंस्टीट्यूट, स्टटगार्ट, जर्मनी। उन्होंने 1987 में जादवपुर विश्वविद्यालय, कोलकाता में इलेक्ट्रॉनिक्स और दूरसंचार इंजीनियरिंग में क्षेत्राधिकारी के रूप में प्रवेश लिया। इसके बाद, वे 1996-1999 के दौरान एक प्रोफेसर और भौतिकी विभाग के प्रमुख और विज्ञान बंगाल इंजीनियरिंग विज्ञान विश्वविद्यालय (बीईएसयू) के संकाय के डीन बने। बाद में वे एक बार फिर जादवपुर विश्वविद्यालय ईटीसीई विभाग में प्रोफेसर के रूप में शामिल हुए। उन्होंने टोक्यो इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी, जापान और हांगकांग विश्वविद्यालय, हांगकांग जैसे कई विश्वविद्यालयों में अतिथि प्रोफेसर के रूप में कार्य किया है। 1999 से, वह इलेक्ट्रॉनिक्स विभाग के साथ प्रोफेसर रहे हैं

Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET पीडीएफ चन्दन कुमार सर्कार

Responding to recent developments and a growing VLSI circuit manufacturing market, Technology Computer Aided Design: Simulation for VLSI MOSFET examines advanced MOSFET processes and devices through TCAD numerical simulations. The book provides a balanced summary of TCAD and MOSFET basic concepts, equations, physics, and new technologies related to TCAD and MOSFET. A firm grasp of these concepts allows for the design of better models, thus streamlining the design process, saving time and money. This book places emphasis on the importance of modeling and simulations of VLSI MOS transistors and TCAD software. Providing background concepts involved in the TCAD simulation of MOSFET devices, it presents concepts in a simplified manner, frequently using comparisons to everyday-life experiences. The book then explains concepts in depth, with required mathematics and program code. This book also details the classical semiconductor physics for understanding the principle of operations for VLSI MOS transistors, illustrates recent developments in the area of MOSFET and other electronic devices, and analyzes the evolution of the role of modeling and simulation of MOSFET. It also provides exposure to the two most commercially popular TCAD simulation tools Silvaco and Sentaurus.

Emphasizes the need for TCAD simulation to be included within VLSI design flow for nano-scale integrated circuits
Introduces the advantages of TCAD simulations for device and process technology characterization
Presents the fundamental physics and mathematics incorporated in the TCAD tools
Includes popular commercial TCAD simulation tools (Silvaco and Sentaurus)
Provides characterization of performances of VLSI MOSFETs through TCAD tools
Offers familiarization to compact modeling for VLSI circuit simulation
R&D cost and time for electronic product development is drastically reduced by taking advantage of TCAD tools, making it indispensable for modern VLSI device technologies. They provide a means to characterize the MOS transistors and improve the VLSI circuit simulation procedure. The comprehensive information and systematic approach to design, characterization, fabrication, and computation of VLSI MOS transistor through TCAD tools presented in this book provides a thorough foundation for the development of models that simplify the design verification process and make it cost effective.