Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET pdf

ha conseguito il Master in Fisica presso la Aligarh Muslim University, Aligarh, India, nel 1975; il suo dottorato di ricerca presso l'Università di Calcutta, Calcutta, India, nel 1979; e il suo dottorato di ricerca presso l'Università di Oxford, Oxford, Regno Unito, nel 1983. È stato anche ricercatore post-dottorato della Royal Commission for the Exhibition of 1851 presso il Clarendon Laboratory, Università di Oxford, dal 1983 al 1985. È stato membro di Wolfson College, Oxford. È stato insegnante e istruttore di laboratorio presso il Clarendon Laboratory. È stato anche visiting fellow presso l'Università di Linkoping, Linkoping, Svezia; Istituto Max Planck di Stoccarda, Germania. È entrato a far parte della Jadavpur University, Calcutta, nel 1987 come areader in ingegneria elettronica e delle telecomunicazioni. Successivamente, è diventato professore e capo del Dipartimento di Fisica e decano della Facoltà di Scienze della Bengal Engineering Science University (BESU) nel periodo 1996-1999. Successivamente è tornato a far parte del Dipartimento ETCE dell'Università di Jadavpur come professore. È stato professore in visita in molte università come il Tokyo Institute of Technology, Giappone e l'Università di Hong Kong, Hong Kong. Dal 1999 è professore ordinario presso il Dipartimento di Elettronica

Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET pdf da Chandan Kumar Sarkar

Responding to recent developments and a growing VLSI circuit manufacturing market, Technology Computer Aided Design: Simulation for VLSI MOSFET examines advanced MOSFET processes and devices through TCAD numerical simulations. The book provides a balanced summary of TCAD and MOSFET basic concepts, equations, physics, and new technologies related to TCAD and MOSFET. A firm grasp of these concepts allows for the design of better models, thus streamlining the design process, saving time and money. This book places emphasis on the importance of modeling and simulations of VLSI MOS transistors and TCAD software. Providing background concepts involved in the TCAD simulation of MOSFET devices, it presents concepts in a simplified manner, frequently using comparisons to everyday-life experiences. The book then explains concepts in depth, with required mathematics and program code. This book also details the classical semiconductor physics for understanding the principle of operations for VLSI MOS transistors, illustrates recent developments in the area of MOSFET and other electronic devices, and analyzes the evolution of the role of modeling and simulation of MOSFET. It also provides exposure to the two most commercially popular TCAD simulation tools Silvaco and Sentaurus.

Emphasizes the need for TCAD simulation to be included within VLSI design flow for nano-scale integrated circuits
Introduces the advantages of TCAD simulations for device and process technology characterization
Presents the fundamental physics and mathematics incorporated in the TCAD tools
Includes popular commercial TCAD simulation tools (Silvaco and Sentaurus)
Provides characterization of performances of VLSI MOSFETs through TCAD tools
Offers familiarization to compact modeling for VLSI circuit simulation
R&D cost and time for electronic product development is drastically reduced by taking advantage of TCAD tools, making it indispensable for modern VLSI device technologies. They provide a means to characterize the MOS transistors and improve the VLSI circuit simulation procedure. The comprehensive information and systematic approach to design, characterization, fabrication, and computation of VLSI MOS transistor through TCAD tools presented in this book provides a thorough foundation for the development of models that simplify the design verification process and make it cost effective.